为促进化合物半导体行业的发展，不仅国家鼓励政策频发，地方政府也积极响应。

随着新能源汽车、通讯基站、数据中心、轨道交通等市场需求不断扩大，第三代化合物半导体产业正在成为各大省市争夺的热门新赛道。

近日，在首届中国光谷九峰山论坛暨化合物半导体产业大会上，武汉东湖高新区高调宣布将以九峰山科技园和九峰山实验室为载体，构建化合物半导体设备、材料、设计、芯片、器件、模块、制造、封装、检测的全产业链体系。

(相关资料图)

无独有偶，广东也在广州、深圳、珠海、东莞布局建设了多个化合物半导体产线项目，产业规模不断壮大。江苏无锡同样瞄准了化合物半导体领域，大力发展氮化镓、碳化硅等半导体材料制造。后起之秀湖南长沙亦针对包括第三代半导体在内的半导体、集成电路产业出台扶持政策，资助金总额达5000万元。

第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲在接受第一财经记者采访时指出，与集成电路相比，化合物半导体制造对下游制造环节设备的要求相对较低，投资额相对较小，还能在一定程度上摆脱对高精度光刻机为代表的加工设备依赖，是我国在半导体领域实现突围的关键赛道，将对未来国际半导体产业格局的重塑产生至关重要的影响。

多地竞逐新赛道

随着单质半导体材料工艺已接近物理极限，其技术研发费用剧增、制造节点的更新难度越来越大，“摩尔定律”的经济效益也在逐渐降低，这迫使全球半导体产业研发新的芯片材料。因此，砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等化合物半导体材料逐渐发展起来。

早在2016年，我国《“十三五”国家科技创新规划》中便提出要“发展先进功能材料技术，重点是第三代半导体材料”。2019年，氮化镓单晶衬底、功率器件用氮化镓外延片纳入《重点新材料首批次应用示范指导目录》。此后的“十四五”规划纲要再次提出，在科技前沿领域攻关方面，集成电路领域包括设计工具、重点装备和高纯靶材等关键材料研发，先进存储技术升级，碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展。

为促进化合物半导体行业的发展，不仅国家鼓励政策频发，地方政府也积极响应。据第一财经记者不完全统计，包括北京、上海、广州、深圳、武汉、西安、厦门、青岛、东莞、长沙、成都、无锡、常州、福州在内的多个城市都相继下发支持政策，政策红利涉及集群培育、科研奖励、人才培育、项目招商、生产激励等多个方面，推动我国化合物半导体材料及器件研发，带动我国各地半导体产业集聚加速。

在广东，位于广州市黄埔区的粤芯半导体累计投资140亿元的一、二期项目已全面达产，投资162.5亿元的三期项目预计将于2024年建成投产。在粤芯半导体的带动下，已有近150家半导体上下游企业签约落地。为支持落地企业做大做强，广东还在筹划300亿元规模的半导体及集成电路产业投资基金，其主投领域就包括汽车芯片、半导体材料设备、化合物半导体等主题。